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El sistema de plasma MYW10 ofrece un proceso de tratamiento de superficies de obleas altamente flexible y de alto rendimiento.
• Sistema de plasma de argón a presión atmosférica
• Procesamiento por lotes de plasma en línea de 100 mm de ancho; Ofrece entre 2 y 5 veces mayor eficiencia y más de un 30 % menos de costos operativos en comparación con los métodos tradicionales.
• Plasma 100% neutro; seguro y respetuoso con los componentes electrónicos sensibles: sin bombardeos de plasma, electricidad estática, chispas, arcos eléctricos, polvo, altas temperaturas, ondulaciones superficiales ni radiación UV, lo que garantiza cero daños al producto.
• Procesos químicos versátiles: proceso de O2 para eliminar contaminantes orgánicos; Proceso H2 para eliminar óxidos metálicos y activar superficies de productos.
• No causa contaminación por partículas ni cambios en la rugosidad de la superficie de la oblea.
• Compatible con la producción de marcos de cinta y obleas, lo que permite un cambio rápido entre los dos
• Cumple con los estándares SEMI y sala limpia Clase 10
| Parámetros básicos | MYW10 |
| Requisitos de energía | CA 380 V, 13 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisitos de presión de aire | 90 psi (6bar) |
| Dimensiones | 2000x2800x2200mm |
| Peso | 2200 kilogramos |
| Estándares de certificación | SEMI S2/S6/S8 |
| Precisión de posicionamiento | XY: ±20 µm a 3σ; Z: ±10 µm a 3σ |
| Repetibilidad del eje XYZ | XY: ±10 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocidad máxima | 1000 mm/s (XY) |
| Aceleración | 1,0g |
| Sistema de accionamiento | servo de CA |
| Especificaciones de la plataforma de trabajo | |
| Método de carga/descarga | OHT + Puerto de carga + Brazo robótico |
| Carga útil del brazo robótico | 3 kilos |
| Tamaño de oblea compatible | 12 pulgadas (300 mm) |
| Sistema operativo | ventanas 10 |
| Viaje X/Y | 400mm / 500mm |
| Viaje del eje Z | 20mm |
| Protocolo de comunicación | SECS/GEM |
| Rango de operación | |
| Área de tratamiento con plasma (ancho x profundidad) | 300×300mm |
| Ángulo de contacto con el agua posterior al tratamiento (WCA) | WCA < 10° (oblea de silicio) |
| Método de tratamiento con plasma | Proceso de O2 para la eliminación de contaminantes orgánicos. Proceso H2 para la eliminación de óxidos metálicos. |
| Requisitos del sistema de plasma | |
| Potencia de radiofrecuencia | 600W a 27,12MHz |
| Gas de plasma principal | Argón |
| Gas de proceso | O2, N2 o H2 |
| Rango de presión de suministro de gas | 40 a 100 psi (0,3 a 0,7 MPa) |
DIRECCIÓN
5to piso, Edificio 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Ciudad de Chang'an, Dongguan, Provincia de Guangdong, China.
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