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El sistema de plasma MYL10 logra un tratamiento de superficie de alto rendimiento para marcos de plomo.
• Sistema de plasma de argón a presión atmosférica
• Procesamiento de plasma por lotes en línea de 100 mm de ancho; ofrece entre 2 y 5 veces mayor eficiencia y más de un 30 % menos costos operativos en comparación con los métodos tradicionales; rendimiento máximo de 1.800 UPH
• Producción de alto rendimiento y alta flexibilidad: capaz de procesar marcos conductores de varios tamaños, incluido el procesamiento simultáneo de diferentes tamaños.
• Plasma 100% neutro: seguro y respetuoso con los componentes electrónicos sensibles; no genera bombardeos de plasma, electricidad estática, chispas, arcos, polvo, altas temperaturas, ondulaciones superficiales ni radiación UV, lo que garantiza que no se dañe el producto.
• Múltiples procesos químicos: el proceso de O2 elimina contaminantes orgánicos; El proceso H2 elimina óxidos metálicos y activa las superficies del producto.
• No se genera contaminación por partículas o líquidos en el producto.
| Parámetros básicos | MYL10 |
| Requisitos de energía | CA 200~240 V, 5 kW, 23 A, 50/60 Hz |
| Requisitos de presión de aire | 90 psi (6bar) |
| Dimensiones | 1500 x 2100 x 2100 mm |
| Peso | 2500 kilogramos |
| Estándares de certificación | CE, SEMI-S2 |
| Precisión de posicionamiento | XY: ±20 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Repetibilidad del eje XYZ | XY: ±15 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocidad máxima | 1000 mm/s (XY) |
| Aceleración | 1,0 gramos |
| Sistema de accionamiento | servo de CA |
| Parámetros de la plataforma de trabajo | |
| Tipo de carril | Carril |
| Número de rieles | 4 |
| Rango de espesor del producto | 0,1–1 mm |
| Viaje del eje Z | 100 milímetros |
| Máx. Rendimiento (UPH) | 1800 |
| Protocolo de comunicación | SMEMA |
| Rango de trabajo | |
| Área de tratamiento con plasma (ancho x profundidad) | 300-1320 milímetros |
| Método de tratamiento con plasma | Proceso de O2 para eliminar contaminantes orgánicos. Proceso H2 para eliminar óxidos metálicos. |
| Requisitos del sistema de plasma | |
| potencia de radiofrecuencia | 600 W a 27,12 MHz |
| gas de plasma principal | Argón |
| Gas de proceso | O2, N2 o H2 |
| Rango de presión de suministro de gas | 40 a 100 psi (0,3 a 0,7 MPa) |
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5to piso, Edificio 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Ciudad de Chang'an, Dongguan, Provincia de Guangdong, China.
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