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El MYS10SD es un sistema de procesamiento de plasma en línea totalmente automatizado desarrollado para aplicaciones en sectores como Mini LED, electrónica, SMT, optoelectrónica y tecnología médica.
• Sistema de plasma de área amplia de argón a presión atmosférica
• Procesamiento de plasma por lotes en línea de 100 mm de ancho; Ofrece entre 2 y 5 veces mayor eficiencia y más de un 30 % menos de costos operativos en comparación con los métodos tradicionales.
• La temperatura de la superficie del producto permanece por debajo de 45°C durante el procesamiento
• Puesta en marcha instantánea sin necesidad de tiempo de calentamiento, lo que ahorra tiempo de producción
• Capaz de procesar una amplia gama de productos; admite conmutación flexible entre cabezales de plasma de varios tamaños
• Plataforma de plasma altamente flexible, compatible y rentable
• Capaz de realizar una limpieza específica en áreas específicas del producto
| Especificaciones básicas | MYS10SD |
| Requisitos de energía | CA 200~240 V, 3,2 kW, 15 A, 50 Hz |
| Requisitos de presión de aire | 90 psi (6bar) |
| Dimensiones | 990*1300*1800mm |
| Peso | 680 kilos |
| Estándares de certificación | CE |
| Precisión de posicionamiento | XYZ: ±50 µm a 3 σ |
| Repetibilidad del eje XYZ | XYZ: ±25 µm a 3 σ |
| Velocidad máxima | 600 mm/s (XY) |
| Aceleración | 0,6g |
| Sistema de accionamiento | servo de CA |
| Especificaciones de la plataforma de trabajo | |
| Tipo de transportador | Cinturón |
| Capacidad de carga del transportador | 3 kilos |
| Rango de espesor del sustrato (sin soporte) | |
| 0,5 a 10 mm | |
| Recorrido del eje Z | 60 milímetros |
| Máx. altura del componente (lado superior) | 100 milímetros |
| Máx. altura del componente (lado inferior) | 100 milímetros |
| Protocolo de comunicación | SMEMA |
| Rango de trabajo | |
| Área de tratamiento de plasma (An × P) | 475–480 milímetros |
| Ángulo de contacto postratamiento (WCA) | WCA < 10° (oblea de silicio) WCA < 20° (no metálico) |
| Método de tratamiento con plasma | Proceso Ar+O2 para la eliminación de contaminantes orgánicos |
| Requisitos del sistema de plasma | |
| potencia de radiofrecuencia | 250 W a 13,56 MHz |
| gas de plasma principal | Argón |
| Gas de proceso | O2 |
| Rango de presión de suministro de gas | 40 a 120 psi (0,3 a 0,8 MPa) |
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5to piso, Edificio 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Ciudad de Chang'an, Dongguan, Provincia de Guangdong, China.
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