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La serie MYS10 es un sistema de procesamiento de plasma en línea totalmente automatizado desarrollado para aplicaciones en sectores como semiconductores, electrónica, SMT, optoelectrónica y tecnología médica.
• Sistema de plasma de argón a presión atmosférica
• Procesamiento de plasma por lotes en línea de 100 mm de ancho; Ofrece entre 2 y 5 veces mayor eficiencia y más de un 30 % menos de costos operativos en comparación con los métodos tradicionales.
• Plasma 100% neutro; seguro y respetuoso con los componentes electrónicos sensibles: no genera bombardeos de plasma, electricidad estática, chispas, arcos, polvo, altas temperaturas, ondulaciones superficiales ni radiación UV, lo que garantiza cero daños a los productos.
• Plataforma de plasma compacta que ofrece alta flexibilidad y compatibilidad
• Procesos químicos versátiles: proceso de O2 para eliminar contaminantes orgánicos; Proceso H2 para eliminar óxidos metálicos y activar superficies de productos.
• No se generan partículas o contaminantes líquidos
| Especificaciones básicas | MYS10 |
| Requisitos de energía | CA 200–240 V, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisitos de presión de aire | 90 psi (6 barras) |
| Dimensiones | 790x1200x1880mm |
| Peso | 800 kilogramos |
| Estándares de certificación | CE, SEMI-S2 |
| Precisión de posicionamiento | XY: ±30 µm a 3σ; Z: ±10 µm a 3σ |
| Repetibilidad del eje XYZ | XY: ±15 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocidad máxima | 1000 mm/s (XY) |
| Aceleración | 1,0g |
| Sistema de accionamiento | servo de CA |
| Especificaciones de la plataforma de trabajo | |
| Tipo de pista | Cinturón |
| Capacidad de carga del carril | 3 kilos |
| Rango de espesor del sustrato (sin soporte) | 0,5 a 6 mm |
| Recorrido del eje Z | 100 milímetros |
| Máx. altura del componente (lado superior) | 26 milímetros |
| Máx. altura del componente (lado inferior) | 23 milímetros |
| Protocolo de comunicación | SMEMA |
| Rango de trabajo | |
| Área de tratamiento de plasma (W×D) | 350–475 milímetros |
| Ángulo de contacto con el agua (WCA) después del tratamiento con plasma | WCA < 10° (oblea de silicio) WCA < 20° (no metálico) |
| Método de tratamiento con plasma | Proceso de O2 para la eliminación de contaminantes orgánicos. Proceso H2 para la eliminación de óxidos metálicos. |
| Requisitos del sistema de plasma | |
| Potencia de radiofrecuencia | 600W a 27,12MHz |
| Gas de plasma principal | Argón |
| Gas de proceso | O2, N2 o H2 |
| Rango de presión de suministro de gas | 40 a 100 psi (0,3 a 0,7 MPa) |
DIRECCIÓN
5to piso, Edificio 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Ciudad de Chang'an, Dongguan, Provincia de Guangdong, China.
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